PERTOP高效電(dian)池管(guan)式PECVD設備
核心技術
非(fei)晶(jing)矽在高溫晶(jing)化時脫(tuo)膜抑製技術
低粉塵工藝技術
沉積薄膜過(guo)程電(dian)場阻抗係統(tong)穩態控(kong)製技術
大(da)麵積均勻性控(kong)製技術
等離(li)子體脈衝氧化法製備超薄氧化矽技術
“氧化矽+原位(wei)摻雜非(fei)晶(jing)矽”二合(he)一工藝技術
相關描述
金辰股份與中科(ke)院(yuan)寧波材料所展開戰略合(he)作，探(tan)索出用管(guan)式PECVD裝備實現PERTOP光(guang)伏電(dian)池核心材料“超薄氧化矽+原位(wei)摻雜非(fei)晶(jing)矽”的製備，同(tong)時在抑製非(fei)晶(jing)矽爆膜、防止電(dian)場導(dao)通(tong)、實現高效電(dian)池全(quan)工藝集(ji)成等關鍵(jian)技術方(fang)麵取得了(liao)重(zhong)大(da)突(tu)破(po)，推出了(liao)簡化工藝流程解決方(fang)案。
等離(li)子體增強型化學氣象沉積（PECVD）技術
依靠(kao)等離(li)子電(dian)場矽烷解離(li)，沉膜速率快，摻雜效率高
定向沉積，繞鍍輕微，成品率高
低溫工藝，腐蝕(shi)性附產物少，耗材成本低
